Description

---

HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herk mmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit berlegen. Sie eignen sich ideal f r drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenw rtig intensiv erforscht. Diese Einf hrung ist so verst ndlich formuliert, da der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik ben tigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)

About the Author

---

WILLIAM LIU is a senior member of the technical staff at Texas Instruments, where he has worked since obtaining his PhD in electrical engineering from Stanford University in 1991. Dr. Liu has published numerous papers, reviews, and chapter contributions on HBTs. He holds thirteen U.S. patents on device and circuit design in various HBT technologies. He is a senior member of the IEEE.